Tower Semiconductor investe 3 mil milhões de dólares no Japão com apoio de mil milhões do Governo

A Tower Semiconductor anunciou a 14 de julho uma expansão em duas frentes das suas capacidades de fotónica de silício (SiPho), silício-germânio (SiGe) e encapsulamento avançado em 300 milímetros no Japão, com apoio do Governo japonês. As ações da empresa fecharam a subir 11,24%, nos 255,49 dólares.

Segundo o comunicado, o Ministério da Economia, Comércio e Indústria japonês (METI) contribui com mil milhões de dólares em subsídios públicos. A Tower indicou que investirá cerca de 3 mil milhões de dólares líquidos desse apoio.

A primeira fase passa por reconverter a fábrica de Arai, anteriormente designada Fab 6, para acrescentar capacidade de fotónica de silício em 300 milímetros, ao mesmo tempo que maximiza a produção da Fab 7, em Uozu. A empresa espera que a instalação esteja pronta para produção plena no quarto trimestre de 2027. A segunda frente prevê a construção de uma nova fábrica de 300 milímetros junto à Fab 7, destinada a servir a procura ligada à inteligência artificial e à conectividade ótica em centros de dados.

A Tower afirmou já ter contratada mais de 70% da nova capacidade planeada até 2028, com contratos de receita em fotónica de silício de 1,3 mil milhões de dólares só para 2027. A empresa atualizou o seu modelo financeiro e passou a projetar receitas de 3,6 mil milhões de dólares e lucro líquido de 1,2 mil milhões de dólares em 2028, face a um objetivo anterior de 750 milhões de dólares de lucro. A previsão de investimento de capital para 2026 foi revista em alta para 920 milhões de dólares.

O anúncio insere-se no esforço do Japão para reforçar a produção nacional de semicondutores, através de apoios públicos a fabricantes estrangeiros e domésticos.